论坛专题二：AMT研发副总裁张家璜——“新世代半导体存储器时代的演进”

AMT公司研发副总裁张家璜先生对“新世代半导体存储器时代的演进”做了详尽的阐述，其中包括半导体存储器的历史及现今存储器技术上的挑战，新世代存储器的介绍和存储级内存 (SCM) 的定义及应用三大方面内容。

如今我们正处于一个见证半导体存储器革命的关键时刻。张总的阐述，让我们更加深刻地理解时代全芯（AMT）的核心PCM在新一代存储器的先进性的本质所在：

其一、作为目前主流存储器DRAM 及 NAND 之间的桥梁以填补其性能上的差距；

其二、对未来崭新世代计算机架构带来变革性影响，尤其是可以驱动存储级内存 (SCM, Storage Class Memory)，持久型存储器 (Persistent Memory)及存储器中运算架构 (CiM, Computing-in-Memory) 更能够接近实现可行。从而让我们对于AMT的未来更加充满信心。

作者介绍和演讲摘要

张家璜

张家璜先生，现任AMT公司研发副总裁。美国爱荷华大学电机硕士毕业，台湾交通大学电机学士毕业。历任台湾半导体产业协会（TSIA）监事、钰创科技集团副总裁、胜丽国际股份有限公司董事、旺宏电子闪速存储部门产品开发总监、Grandis内存集成电路（美国）负责MRAM集成电路设计总监、海力士电子半导体闪速存储部门产品开发总监、EXEL Microelectronics（美国）产品设计经理、ROHM（美国）闪速存储器产品设计经理、AMD超威半导体（美国）资深研究员/SRAM设计工程师及项目领导、爱特公司（美国）项目经理。

张副总裁于PCM/SRAM/MRAM/FPGA存储器专业领域已有17个中美专利，于内存集成电路设计、闪速存储器产品开发等方面有杰出贡献。

《新世代半导体存储器时代的演进》摘要

今日我们正处于一个见证半导体存储器革命的关键时刻。当现今主流存储器如动态随机存取存储器(DRAM)、闪存存储器(Flash)完成了大部份的应用需求，但因其本身的特性，也因此在系统效能提升上出现了限制及障碍。在此同时，当存储器材料研究有了进一步的突破，新世代的存储器如电阻式存储器 (ReRAM)、磁阻式存储器 (MRAM)及相变式存储器 (PCRAM) 将逐渐的成熟。新世代存储器的发展成功将作为 DRAM 及 NAND 之间的桥梁以填补其性能上的差距，除此之外，这个新世代存储器技术可以做为某些应用如存储级内存 (SCM, Storage Class Memory)，持久型存储器 (Persistent Memory)及存储器中运算架构 (CiM, Computing-in-Memory) 更能够接近实现可行。这个崭新世代计算机架构，将由新世代存储器所驱动，在现今将逐渐浮现发生。

在今天的报告中，我们将论及：

半导体存储器的历史及现今存储器技术上的挑战；

新世代存储器的介绍；

存储级内存（SCM）的定义及应用。

演讲内容摘选

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