论坛专题一：清华大学微电子学研究所副所长尹首一教授——“中国集成电路发展及存储器与可重构计算”

导读

“中国集成电路发展及存储器与可重构计算”这一题目是由清华大学微电子学研究所副所长尹首一博士在论坛中所作的开篇演讲。尹博士从中国集成电路产业的总体发展情况介绍入手，通过集成电路供给侧结构分析探索半导体存储器在中国集成电路产业发展中的重要作用，进而思考如何促进半导体存储器技术与可重构计算芯片技术的有机融合，创新非对称的新型智能芯片，寻找中国集成电路的跨越发展之路。

我们时代芯存（AMT），作为致力于创建国产相变存储器品牌的高科技公司，一直在思考和策划，如何把握市场脉搏, 更具有前瞻性地精准定位市场, 从而更合理地布局发展我们的产品线? 尹博士的演讲中恰恰给予我们三点最重要的启示和肯定：

1）高密度数据中心存储是存储市场的风口：根据我们AMT相变存储在性能上与DRAM可比拟的特点,加之可微缩性、非易失性且耗电低及成本等优势，未来公司产品发展布局的中期重点为以取代DRAM的PCRAM存储产品为核心。

而尹博士的演讲中关于主流存储器DRAM主要增长点为数据中心存储以及主流服务器的内存容量等市场分析和总结，印证了公司未来面向大数据IDC的高密度存储的产品线和市场发展策略。（p27-p32）

2）以PCM为代表的第四代存储时代的到来：英特尔和镁光在2015年7月31日宣布了基于PCM的3D Xpoint的下一代存储器，并宣称这是自1989年以来最伟大的技术，Intel在2017年3月19日正式的在市场上推出了基于PCM的3DXpoint的闪腾（Optane）SSD系列产品，国际半导体巨头将PCM产品进入商用领域，标志着全球存储进入了以PCM为代表的第四代存储时代。AMT正是围绕PCM这一成熟的最新技术发展自己的产品和业务。（p34-35）

3）相变存储与可重构计算技术的有机融合：自2016年9月起，AMT和清华大学微电子所已经展开了将相变存储融入可重构计算芯片架构中的合作。相对于目前可重构计算芯片架构中采用的SRAM等成本较昂贵且耗电量大的内存，用相变存储器取而代之，将大大有利于能耗的提升。正如在临近演讲尾声时，借用‘北京遇上西雅图’这一几乎家喻户晓的国产热卖爱情片的题材作为比喻，尹博士用“当‘可重构计算’遇见‘相变存储器’”这一生动的阐述，预示了通过双方的继续深入合作，必将迎来“高能效计算架构（清华大学） + 非易失存储器（AMT） = 超高能效解决方案”的美好前景。(p37-p47)

作者介绍和演讲摘要

尹首一 博士

清华大学微电子学研究所副所长、CAD技术研究室主任，博士。尹首一同志2007年谢绝英国帝国理工学院的挽留，辞去了高薪的工作，回到清华大学微电子学研究所工作。他充分利用在海外留学的经历和掌握的学术资源，积极学习国外先进技术和研究方法，立足已有基础和优势，结合学科发展前沿，开展了SoC与嵌入式系统设计，移动计算，物联网/传感网等领域的研究工作。他主持、参与了国家自然科学基金、863重点项目、国家科技重大专项、教育部博士点基金等10多项课题。在国内外重要学术期刊和学术会议上发表论文学术论文50余篇，其中SCI论文近20篇，EI论文30余篇，申请发明专利28项（授权4项），获得软件著作权5项。

作为主要负责人，领导团队完成了面向传感网和物联网应用的智能图像传感SoC芯片—THLK2405，其主要性能指标达到世界先进水平，为我国大力发展物联网产业打造了一颗强健的“中国芯”。

《中国集成电路发展及存储器与可重构计算》摘要

中国作为集成电路产业发展最快的国家，其地位越来越重要，但也面临着巨大的挑战。本文从中国集成电路产业的总体发展情况介绍入手，通过集成电路供给侧结构分析探索半导体存储器在中国集成电路产业发展中的重要作用，进而思考如何促进半导体存储器技术与可重构计算芯片技术的有机融合，创新非对称的新型智能芯片，寻找中国集成电路的跨越发展之路。

演讲内容摘选

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