重磅新闻“兆易创新65亿收购北京矽成”
2月14日，兆易创新公布了收购预案。
公告显示，兆易创新拟作价65亿收购北京矽成100%股权。其中，其中股份支付对价为45.5亿，现金支付对价为19.5亿。发行股份及支付现金购买资产的股份发行价格为158.30元/股，不低于公司定价基准日前20个交易日的股票交易均价的90%。本次发行股份及支付现金购买资产预计共需发行28742891股.
招商证券研报指出，随着产品制程升级，MCU持续高增长，NAND flash等新领域逐渐产生效益，公司业绩有望快速增长。预估兆易创新16/17/18年EPS为2.28/ 3.11/4.07元，考虑到公司所处行业的估值水平，合理股价在135-160元。
兆易创新科技于2016年8月10完成IPO，募集资金将用于研发中心建设项目、NOR闪存技术及产品改造项目、基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU芯片研发及产业化项目、NAND闪存技术开发、应用及产业化项目。
申报稿显示，随着移动互联网、智能手机、物联网、云计算等新兴产业的发展，现代社会对更优性能、更大容量、更小体积、更低成本的存储芯片和 MCU 的需求不断增加。
兆易创新于2005年成立，主营业务收入来自NOR Flash。 NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而是可以直接在Flash闪存内运行。其擦除是以64-128KB的块为单位进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，而NAND器件的擦除则是以8-32KB的块为单位进行，执行相同的操作最多只需要4ms，故其很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。此外，NOR的单元尺寸几乎是NAND flash的两倍，故在成本上也不具备优势，这使得NOR的使用范围受到了更大的限制，不少曾属于NOR的市场也慢慢被其他存储器所夺取。目前全球市场份额不到30亿美金，以至于近期传出该行业龙头美光计划出售NOR业务，并且NOR Flash与国家安全关联不大，战略意义不明显。
NOR FLASH的全球市场规模（单位：亿美元）
而作为前期和兆易创新有着很多相似产品线的江苏时代存储（简称AMT），除去年9月获得了江苏地方政府的大力支持外，近期开工建设速度也正以惊人的速度超前推进。江苏时代存储于2009年和国际科技巨头IBM进行技术合作，以IBM研发十年的技术为基础，历时八年多，已完成PCM的研发与量产的准备。AMT是中国最早获得IBM核心集成电路技术专利的民营企业，并在此基础上开发了我们自主的知识产权及持久创新能力，也是中国唯一的一家不仅拥有自主设计知识产权，并掌握制程工艺的半导体的企业。所针对的市场是95%被国外垄断的DRAM和NAND市场。
DARM的全球市场规模
NAND Flash的全球市场规模
AMT将于明年下半年量产产品下线，先行推出2D NAND包含EEPROM、FPGA、TCAM、MCU等中低容量产品，避开与国际巨头的竞争，逐渐拓展市场渠道、提升品牌影响力，并将向NAND、DRAM以及神经网络等方向发展，目前大容量的产品已经开始研发和布局。前期和兆易创新的产品线有很多重合部分，但AMT是采用第四代存储技术---相变存储（PCM），与第三代存储的原理产生了颠覆性的变革，被英特尔称之为自1989年以来最伟大的技术。不但在设计方面引领行业，而且从制成工艺方面做了大幅改进。是近两年来国际巨头Intel，三星等追捧的最先进技术。在年初的CES 2017大会上，英特尔正式宣布 基于PCM技术的3D XPoint Optane 非易失性存储技术叫“闪腾”技术，首次将内存和存储的特性结合到一起，具有比传统DRAM内存更便宜、速度更快、延迟极低、性能强悍、队列深度优秀、寿命更长等特点，优势明显可有效提升包括系统加速、高速缓存、存储、内存等性能，专为高端云平台和数据中心打造，备受企业级用户的青睐。其市场前景更为广阔，技术创新空间更大。
自去年8月份上市的兆易创新，至今年2月14做出定增，此次募资离其首次募资仅仅间隔了8个月，而证监会募资新规规定的两次募资间隔为不低于18个月新股上市，涨停之旅结束两个交易日后，便再次资本运作，刷新了新股重组的记录，也刷新了A股上市后最快停牌记录。由此也看出我国对于存储行业的支持力度，也让做存储的同行们以及身边有做存储的朋友看到了美好的前景，都会不自觉地进行对比。
3月31日，清明节前的最后一个交易日，兆易创新以210元每股收盘，而在其招股说明书中体现其每股净收益2015年为2.1元，这和AMT的财务测算2020年的每股净收益2.15元极其接近，作为同是国内先进存储企业，AMT不仅拥有第四代设计（兆易创新是一家设计公司），而且还拥有先进工艺和核心材料以及最合理的商业模式（轻重资产剥离）。其估值和体量让人翘首期盼。
但挑战总是与机遇并存的，传统存储器市场已经呈现高度垄断形式，且近几年垄断程度还在逐渐加剧，而新型存储器由于在架构和材料方面都有很大的不同，各大龙头存储器厂商目前的进展也并非一帆风顺，而国内机构在国家政策的大力支持下，已取得了不少成就：在PCM，RRAM等新型存储器上，国内也有不少企业和科研单位在进行探索。从专利数目上看，DRAM和NAND由于行业高度垄断，三星，海力士，东芝，美光等几家公司经过多年积累，已经形成了极高的专利壁垒，而新型存储器龙头公司并未占据绝对优势，使国内像AMT这样的企业有弯道超车的机会，目前我国新型存储器的专利拥有数已大大超过DRAM和NAND，和国际龙头企业的差距相对来说也较小。
