2016年6月30日，胡正明先生到访时代全芯公司研发中心，并与公司张龙董事、杨剑辉董事进行了深入的会谈；胡正明先生充分肯定了公司目前取得的成果，并认为公司发展的方向完全正确，对一家民营企业取得如此的成果非常赞赏，同时也认为中国政府应当大力发展半导体行业，尤其是在第四代先进存储器方面，对于像时代全芯这样的企业政府更应当大力投入和扶持。
胡正明先生同时也表示，公司应当做好未来的规划和面对挑战的准备，他会时刻关注我们的企业，待工厂设备进驻后，他将亲临工厂进行指导。胡正明先生是美国科学院、中国科学院和台湾中央研究院三院院士，美国伯克利大学教授，其发明的半导体FinFET技术对世界半导体行业产生了深远的影响，目前世界半导体巨头INTEL、IBM、三星等公司都在使用该技术。
公司的发展能够得到世界半导体导师的认可和肯定，更增加了我们的信心，也更加强了我们在技术上与世界半导体科技业的联贯与沟通。
专家简介
胡正明
FinFET技术发明人FD-SOI工艺发明人
IEEE Fellow
美国工程院院士
中国科学院外籍院士
美国加州大学伯克利分校教授
微电子学家，1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学(北京)微电子学研究所荣誉教授，1997年当选为美国工程科学院院士。2007年当选中国科学院外籍院士。
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2015年12月获得美国国家技术和创新奖。
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